低電壓低功耗nMOS與ECL電路設計研究.pdf

1、論文根據低電源電壓是降低功耗的最有效手段這一原理出發(fā),首先討論了在采用不降低管子閾值的標準工藝時,傳統(tǒng)nMOS電路和ECL電路在低電壓下工作時遇到的困難,指出這是由于傳統(tǒng)的nMOS電路和ECL電路采用了串聯(lián)開關結構造成的,因而在電壓低到一定值后,電路就不能正常工作.進而,論文提出了采用并聯(lián)開關結構來設計nMOS和ECL電路的思想,并根據開關信號理論,分別為nMOS和ECL電路牧師出了幾種將串聯(lián)開關轉換成并聯(lián)開關的方法.在此基礎上,論文從

2、開關級設計了采用并聯(lián)開關技術的適合于低電壓電源工作的二值和三值nMOS電路和ECL電路.對設計的電路進行模擬和測試,獲得的結果表明,采用并聯(lián)開關技術設計的電路都具有正確的邏輯功能,其中二值nMOS電路在電源電壓1.0V時,仍能正常工作,三值nMOS電路能在3.3V時正常工作;而二值ECL電路可工作于電源電壓幅度1.2V以下,三值ECL電路可工作于電源電壓幅度2.0V以下;所有設計的電路在低電壓下均有較低的功耗.另外,采用并聯(lián)開關的ECL