低電壓低功耗數(shù)字集成電路技術(shù)研究.pdf

1、近幾年，大量低功耗應(yīng)用開(kāi)始興起，這些應(yīng)用包括射頻識(shí)別(RFID)，無(wú)線傳感節(jié)點(diǎn)、醫(yī)療電子。而降低電源電壓作為首先可以二次方的降低動(dòng)態(tài)功耗和線性的降低漏電功耗，極低電壓數(shù)字電路設(shè)計(jì)為能耗效率和功耗消耗要求較高的應(yīng)用提供了一個(gè)平臺(tái)，因此降低電源電壓在低功耗設(shè)計(jì)中仍是主要的關(guān)注點(diǎn)。
　　本文對(duì)低電壓數(shù)字電路設(shè)計(jì)技術(shù)和低功耗數(shù)字集成電路的設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行了深入研究，著眼于低電壓數(shù)字電路設(shè)計(jì)流程的各環(huán)節(jié)展開(kāi)全面研究，包括標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的穩(wěn)定性評(píng)價(jià)、

2、近/亞閾值標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)設(shè)計(jì)方法、低電壓下標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的特征化以及一定應(yīng)用需求下的最優(yōu)工作電壓評(píng)價(jià)。同時(shí)，針對(duì)數(shù)字電路低功耗設(shè)計(jì)，對(duì)時(shí)鐘門(mén)控技術(shù)、多閾值技術(shù)、多電壓設(shè)計(jì)技術(shù)展開(kāi)研究，完成了門(mén)控技術(shù)、多閾值技術(shù)和多電壓設(shè)計(jì)的流片實(shí)驗(yàn)。
　　本文設(shè)計(jì)了標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)驗(yàn)證電路、基于定制庫(kù)的 FIR電路，并采用中芯國(guó)際130nm CMOS工藝，進(jìn)行了測(cè)試驗(yàn)證。測(cè)試結(jié)果表明，近/亞閾值標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)在0.3V下具有很好的穩(wěn)定性，最低可工作在150mV，驗(yàn)