低功耗標準單元電路設計.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩74頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、隨著集成電路技術的迅猛發(fā)展,特征尺寸不斷縮小,電路集成度和工作頻率的不斷提高,功耗已成為繼速度和面積之后,集成電路設計面臨的最主要挑戰(zhàn)。數(shù)字電路從邏輯設計方法上,可以分為基于“與、或、非”的傳統(tǒng)布爾(Traditional Boolean,TB)邏輯和基于“與/異或、或/同或”的Reed-Muller(RM)邏輯。由于TB邏輯比較成熟,因此目前幾乎所有的設計都是基于TB邏輯實現(xiàn),相應的EDA工具也都是基于TB邏輯,可以認為集成電路設計所

2、面臨的挑戰(zhàn)在一定程度上是邏輯設計方法本身造成的。研究表明,RM邏輯在面積、速度和功耗上存在一定的優(yōu)勢。雖然近些年有關于RM邏輯的研究,但是仍然沒有相關的標準單元電路設計,特別是基于RM邏輯的低功耗標準單元電路設計。本文主要針對基于RM邏輯的低功耗標準單元電路進行研究,論文主要分為以下幾個部分:
  1.對現(xiàn)有的各種與(AND)門、異或(XOR)門和或(OR)門、同或(XNOR)門的設計方法進行了分析說明,將其進行級聯(lián)得到的AND/

3、XOR和OR/XNOR門電路作為文中提出對應晶體管級電路的比較對象。
  2.結合傳輸管邏輯(Pass Transistor Logic,PTL)和傳輸門(Transmission Gate,TG)邏輯的優(yōu)點,提出了基于PTL和TG混合的晶體管級 AND/XOR和OR/XNOR門電路。
  3.55nm工藝 Linux環(huán)境下,對提出的電路在 Cadence工具下進行原理圖和版圖的設計,并用 Calibre工具進行 DRC、L

4、VS和寄生參數(shù)提取以及用 HSPICE工具進行電路的寄生參數(shù)提取前后的模擬仿真工作,并與級聯(lián)結構的電路進行性能上的分析比較。實驗結果表明,提出的AND/XOR門電路功耗和功耗延遲積(PDP)的改善量分別高達26.67%和31.25%,OR/XNOR門電路分別高達21.88%和38.61%。
  4.結合互補靜態(tài) CMOS結構電路的優(yōu)點,提出了相應的晶體管級的AND/XOR和OR/XNOR門電路。并在0.13um、0.18um和0.

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論