半導體封裝噴涂設備生產(chǎn)率提高的設計與實現(xiàn).pdf

1、12寸晶圓憑借較低成本、較高的生產(chǎn)效率逐漸取代了傳統(tǒng)的8寸晶圓，晶片大小的改變促使生產(chǎn)工藝流程也隨著發(fā)生了一些變化。本文研究的對象是在半導體封裝過程中由于晶圓大小改變而引入的新工藝設備--噴涂設備，該設備的作用是在晶圓表面噴涂一層薄膜，用來保護晶圓上焊點在芯片切分過程不被污染。目前，如何提高該設備的生產(chǎn)能力和生產(chǎn)效率，國內(nèi)外還沒有相關研究。本課題從減小設備噴涂周期和批次間（兩批產(chǎn)品間）準備時間兩個角度出發(fā)，對噴涂過程進行優(yōu)化，并采用Zy

2、go公司薄膜測量設備對優(yōu)化總體進行檢驗，提高了設備的生產(chǎn)率。
　　首先，本文通過對該設備生產(chǎn)率模型的靈敏度分析，找到影響生產(chǎn)率的兩大主要因素：晶圓噴涂周期和批次間準備時間。
　　第二，對晶圓噴涂周期的優(yōu)化是建立在薄膜厚度模型基礎上，在保證薄膜厚度不變的前提下，對模型參數(shù)進行優(yōu)化，提高了設備生產(chǎn)率，并對設備優(yōu)化前后的薄膜重量采用JMP軟件進行了獨立均值t檢驗，結(jié)果證明對晶圓噴涂周期的優(yōu)化可行，提高噴涂設備生產(chǎn)率4.47％

3、>　　第三，對批次間準備時間的優(yōu)化是通過減少測機的等待時間來完成的，測機過程是為了檢驗當前設備噴涂薄膜厚度是否在標準范圍內(nèi)，等待時間是為了讓涂料在設備內(nèi)揮發(fā)一段時間，等重量相對穩(wěn)定后測量。通過均勻?qū)嶒炘O計和采用SPSS軟件進行非線性回歸分析，構(gòu)建了涂料在設備內(nèi)部、設備外部、通風柜的三個揮發(fā)模型，在三個模型的基礎上，提出對測機等待時間的優(yōu)化方案，并對優(yōu)化前后的薄膜重量采用JMP軟件進行了獨立均值t檢驗，提高噴涂設備生產(chǎn)率7.75%。