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文檔簡介
1、背景與目的:大鼠短暫全腦缺血可引起特定區(qū)域如海馬的神經(jīng)元發(fā)生延遲死亡。機體在短時間內(nèi)暴露于非致死性的損傷因素,如非損傷性的缺血、皮層擴布性抑制、短暫性癲癇發(fā)作、麻醉劑吸入、低劑量的脂多糖內(nèi)毒素等,可減輕后續(xù)的嚴(yán)重性、致死性的缺血或缺氧損傷,此為缺血耐受。在致死性的缺血再灌注之后的一定時間內(nèi),給予一次或者多次短暫缺血再灌注,使腦組織對致死性的缺血產(chǎn)生耐受,此為腦缺血后處理。作為一種腦缺血后處理的方式,低氧后處理發(fā)揮神經(jīng)元保護作用的機制尚不
2、清楚。我們先前應(yīng)用TUNEL法研究結(jié)果顯示,成年大鼠tGCI再灌注24小時開始出現(xiàn)神經(jīng)細(xì)胞凋亡,再灌注48小時凋亡細(xì)胞增多,再灌注7天凋亡細(xì)胞數(shù)下降。自噬是否參與短暫全腦缺血所致的神經(jīng)元損傷,低氧后處理是否通過調(diào)節(jié)自噬發(fā)揮神經(jīng)保護作用,尚不清楚。本研究檢測自噬相關(guān)蛋白LC3、LAMP2、Cathepsin D在短暫全腦缺血和短暫全腦缺血-低氧后處理后海馬CA1區(qū)的表達(dá)變化,以及觀察電鏡下自噬體的形成,闡明自噬是否參與低氧后處理對短暫全腦
3、缺血的保護作用。
材料與方法:選取體重為250-300 g的成年雄性Wistar大鼠。低氧后處理采用在密閉防潮箱內(nèi)持續(xù)通入8% O2+92% N2混合氣體。全腦缺血模型采用Pulsinelli經(jīng)典的四血管阻塞模型。采用電鏡觀察神經(jīng)元內(nèi)超微結(jié)構(gòu)的變化及自噬體的形成,采用免疫組化、Western blot檢測自噬相關(guān)蛋白LC3、LAMP2、Cathepsin D在短暫全腦缺血和低氧后處理后海馬CA1區(qū)的表達(dá)變化。
結(jié)果:
4、(1)電鏡下 Sham組神經(jīng)元核膜完整,核內(nèi)染色體淡染,胞漿可見豐富的粗面內(nèi)質(zhì)網(wǎng)和形態(tài)正常的線粒體。tGCI組再灌注26小時,胞漿內(nèi)線粒體腫脹,并出現(xiàn)少量自噬體,可見部分自噬體內(nèi)的胞漿成分已降解,呈高電子密度。在再灌注50小時,胞漿內(nèi)自噬體明顯增多。再灌注7天,細(xì)胞器崩解,組織壞死,未見正常的細(xì)胞結(jié)構(gòu)。HPC組,細(xì)胞結(jié)構(gòu)尚完整,可見胞核、線粒體、溶酶體等細(xì)胞器,并見少量的雙層膜自噬體。
(2)LC3免疫陽性成分在短暫全腦缺血后
5、,局部聚集,給予低氧后處理,LC3均勻分布至胞漿。Western blot結(jié)果顯示,tGCI組LC3-Ⅱ/Ⅰ逐漸升高,在再灌注50小時,達(dá)到高峰(p<0.05)。
(3)Sham組LAMP2免疫反應(yīng)陽性細(xì)胞在錐體細(xì)胞層呈圓形、卵圓形(神經(jīng)元樣),多形層、分子層的免疫陽性細(xì)胞呈梭形、星形(膠質(zhì)細(xì)胞樣)。單純低氧后24小時,神經(jīng)元樣細(xì)胞數(shù)明顯增多,差異有統(tǒng)計學(xué)意義,缺血后4小時,神經(jīng)元樣細(xì)胞數(shù)一過性增多,至缺血后168小時,低于S
6、ham組水平(p<0.05)。給予tGCI鼠低氧后處理后,神經(jīng)元樣細(xì)胞數(shù)在低氧后24小時、6天與對應(yīng)時間點的tGCI組比較,變化不明顯(p>0.05),低氧后0小時低于對應(yīng)時間點的tGCI組(p<0.05)。單純低氧后0小時、24小時,膠質(zhì)細(xì)胞樣細(xì)胞數(shù)無明顯變化(p>0.05)。在再灌注0小時,即開始增多,在再灌注50小時達(dá)高峰,并維持至再灌注7天,差異均有統(tǒng)計學(xué)意義(p<0.05)。tGCI后給予低氧后處理,低氧后6天膠質(zhì)細(xì)胞樣細(xì)胞數(shù)
7、較對應(yīng)時間點的tGCI組增多(p<0.05)。Western blot結(jié)果顯示,單純低氧后24小時,LAMP2表達(dá)增多(p<0.05);tGCI后,在再灌注0小時升高。在4小時、26小時、50小時均無明顯變化,在低氧后0小時、24小時,與對應(yīng)時間點的tGCI組比較,差異無統(tǒng)計學(xué)意義。
(4) Sham組海馬CA1區(qū)Cathepsin D免疫反應(yīng)陽性細(xì)胞胞體大而圓,分子層突起長而明顯。與 Sham組比較,單純低氧0小時、24小時
8、變化不明顯。在tGCI組,陽性細(xì)胞的光密度值在再灌注0小時、50小時、168小時降低,差異均有統(tǒng)計學(xué)意義;在再灌注4小時至26小時,維持在Sham水平;tGCI后,給予低氧后處理后24小時、6天,Cathepsin D表達(dá)量升高,均恢復(fù)至Sham水平,與相應(yīng)時間點的tGCI組比較,p<0.05。Western blot結(jié)果顯示與Sham組比較,單純低氧0小時、24小時略升高,但差異無統(tǒng)計學(xué)意義;tGCI后,在再灌注0小時達(dá)到高峰,并維持
9、至26小時,在再灌注50小時降低至Sham水平;tGCI后給予低氧后處理,在低氧后0小時,與對應(yīng)時間點的tGCI組比較,差異無統(tǒng)計學(xué)意義,在低氧后24小時,與對應(yīng)時間點的tGCI組比較,略升高,但差異仍無統(tǒng)計學(xué)意義。
?。?)LAMP2免疫熒光雙標(biāo)顯示,Sham組 LAMP2主要在小膠質(zhì)細(xì)胞表達(dá),在CA1腹內(nèi)側(cè)主要在神經(jīng)元胞漿表達(dá)。tGCI組再灌注7天,LAMP2主要在小膠質(zhì)細(xì)胞表達(dá)。
結(jié)論:(1)自噬在短暫全腦缺血后
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