頭穴電針誘導(dǎo)NGF透血腦屏障效應(yīng)及對(duì)腦缺血大鼠學(xué)習(xí)記憶能力的影響.pdf

1、目的：1．觀察頭穴電針誘導(dǎo)NGF透BBB的效應(yīng)及與PKC通路相關(guān)性；
　　2．觀察頭穴電針誘導(dǎo)NGF透BBB對(duì)腦缺血模型大鼠學(xué)習(xí)記憶能力的影響。
　　方法：1．實(shí)驗(yàn)第一部分采用反復(fù)腦缺血再灌注的方法，建立學(xué)習(xí)記憶障礙大鼠動(dòng)物模型，在大鼠BBB完整穩(wěn)定后（術(shù)后第21天），隨機(jī)分為模型對(duì)照組、NGF組、電針組、NGF+電針組、NGF+H7+電針組，另設(shè)假手術(shù)組。處理時(shí)假手術(shù)組、模型對(duì)照組僅注射生理鹽水，NGF組尾靜脈注射NGF，

2、電針組刺激大鼠“百會(huì)”和“啞門”穴，50HZ，強(qiáng)度2mA，NGF+電針組，NGF+H7+電針組均在尾靜脈注射 NGF基礎(chǔ)上，再結(jié)合電針“百會(huì)”和“啞門”穴，并給NGF+H7+電針組同時(shí)予以腹腔注射PKC阻斷劑H7。30分鐘后取大鼠全腦組織，用ELISA法檢測(cè)各組大鼠腦組織中NGF含量；
　　2．實(shí)驗(yàn)第二部分建立學(xué)習(xí)記憶障礙大鼠動(dòng)物模型，造模方法同第一部分實(shí)驗(yàn)大鼠。在大鼠BBB完整穩(wěn)定后（術(shù)后第21天），隨機(jī)分為模型對(duì)照組、NGF組

3、、電針組、NGF+電針組、另設(shè)假手術(shù)組。大鼠處理同第一部分實(shí)驗(yàn)大鼠，連續(xù)15天，于第16天開(kāi)始對(duì)大鼠進(jìn)行Morris水迷宮實(shí)驗(yàn)，觀察各組大鼠空間學(xué)習(xí)記憶能力變化。
　　結(jié)果：1．在大鼠腦組織 NGF含量檢測(cè)中，NGF組與模型對(duì)照組比較，有少量提高，但不明顯（P＞0.05）；電針組與模型對(duì)照組比較，有微量提高（P＞0.05）；NGF+電針組與NGF組比較，有明顯提高，差異顯著（P<0.01）；NGF+H7+電針組與NGF+電針組比較

4、，有下降趨勢(shì)，但尚無(wú)顯著性意義（P＞0.05）。
　　2．在Morris水迷宮實(shí)驗(yàn)中，模型對(duì)照組大鼠有明顯的學(xué)習(xí)記憶能力障礙，與假手術(shù)組比較，差異顯著（P<0.01）；NGF組、電針組與模型對(duì)照組比較，學(xué)習(xí)記憶能力均無(wú)明顯改善（P＞0.05），NGF+電針組與模型對(duì)照組比較，學(xué)習(xí)能力改善呈明顯差異（P<0.05），但記憶能力改善不明顯（P＞0.05），僅呈改善趨勢(shì)。
　　結(jié)論：1．頭穴電針能誘導(dǎo)NGF透過(guò)血腦屏障，使腦組織中