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1、為了研究Mg2+對放射性腦損傷大鼠海馬c-fos基因表達(dá)及學(xué)習(xí)記憶能力的影響,探討Mg2+對放射性腦損傷的神經(jīng)保護(hù)作用及其機(jī)制,本實驗將SD大鼠隨機(jī)分為實驗組、實驗對照組和空白對照組。實驗組用5MeV電子線20 Gy全腦單次垂直照射建立大鼠放射性腦損傷模型,以照射后30 d內(nèi)大鼠照射區(qū)皮膚褪毛、神經(jīng)系統(tǒng)體征及海馬病理切片為模型評價指標(biāo);分別于照射前1 d,前30 min,照射后即刻給與10%MgSO4(400 mg-kg -1)緩慢腹腔
2、注射,照射后2 h用免疫熒光法檢測海馬c-fos基因表達(dá);大鼠隨機(jī)在照射后7 d、14 d、28 d處死,處死前3 d進(jìn)行Y迷宮學(xué)習(xí),處死當(dāng)天進(jìn)行Y迷宮記憶測試,測試后2 h處死動物并用免疫熒光法檢測海馬c-fos基因表達(dá)乙實驗對照組用等量生理鹽水(normalsaline NS)代替MgSO4用藥,空白對照組以假照射代替照射。 結(jié)果顯示:(1)大鼠頭部受照射區(qū)域皮膚有準(zhǔn)確的脫毛范圍;病理切片可見海馬齒狀回神經(jīng)元排列稀疏,齒狀回
3、境界不清;(2)實驗對照組海馬Fos蛋白水平較空白對照組明顯升高(P<0.01),但MgSO4干預(yù)的實驗組海馬Fos蛋白表達(dá)明顯下降(P<0.01);(3)實驗組大鼠28 d的Y迷宮學(xué)習(xí)記憶測試成績明顯優(yōu)于實驗對照組(P<0.01),學(xué)習(xí)記憶測試后Fos蛋白陽性細(xì)胞數(shù)也明顯增多(P<0.01)。但7 d、14 d實驗組大鼠的學(xué)習(xí)記憶測試成績及測試后的Fos蛋白表達(dá)與實驗對照組大鼠相比無明顯差別。 結(jié)果提示:(1)放射性腦損傷大鼠
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