極低頻磁場對細(xì)胞因子受體基因表達(dá)及轉(zhuǎn)錄因子影響的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該部分的研究目的是檢測50Hz磁場輻照對轉(zhuǎn)錄因子CREB和NF-kB的DNA結(jié)合活性的影響,并探討參與此磁場反應(yīng)的信號(hào)通路.第一部分：極低頻磁場對細(xì)胞因子受體基因表達(dá)的影響.在HL60細(xì)胞中研究了50Hz極低頻正弦磁場對細(xì)胞因子受體基因表達(dá)的影響.第二部分：極低頻磁場對HL60細(xì)胞轉(zhuǎn)錄因子CREB的結(jié)合活性的影響.為了研究磁場引起基因轉(zhuǎn)錄改變的可能機(jī)制,用凝膠阻滯電泳實(shí)驗(yàn)（EMSA）檢測了0.1mT強(qiáng)度的50Hz極低頻磁場輻照后HL60

2、細(xì)胞轉(zhuǎn)錄因子CREB的DNA結(jié)合行為的改變.第三部分：極低頻磁場對HL60細(xì)胞轉(zhuǎn)錄因子NF-kB的結(jié)合活性的影響.為了研究磁場對另一重要轉(zhuǎn)錄因子NF-kB的影響,檢測了0.1mT強(qiáng)度的50Hz極低頻磁場輻照后HL60細(xì)胞轉(zhuǎn)錄因子的NF-kBDNA復(fù)合物的形成.該研究可得出以下結(jié)論：1.低強(qiáng)度的極低頻磁場輻照較長時(shí)間后可以選擇性的增強(qiáng)細(xì)胞因子相關(guān)的受體表達(dá).在0.1和0.8mT兩磁場強(qiáng)度間TNFRp75和IL-6Rα的表達(dá)升高并不依賴于的

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