抗氧化導(dǎo)電銀電子漿料體系及其抗氧化機(jī)理研究.pdf

1、導(dǎo)電銀漿料因其優(yōu)異的使用性能而在電子漿料行業(yè)獲得極其廣泛的應(yīng)用，在電子元器件制造領(lǐng)域占有重要地位。但是銀的厚/薄膜電子元器件在高溫、高壓、高濕度環(huán)境下使用時(shí)，會(huì)被空氣中的O2或含S的氣體(如H2S和SO2)氧化，縮短使用壽命，嚴(yán)重限制其使用范圍，因此需要對(duì)導(dǎo)電銀漿料進(jìn)行改性，以提高其抗氧化能力。
　　本文選擇微米銀粉作為金屬導(dǎo)電相，并從乙酰丙酮銦、錫鉛合金粉、微米氧化錫粉、錫粉、銦粉這五種添加劑中，選出錫粉和銦粉作為提高導(dǎo)電銀漿料

2、抗氧化性的添加成分，制備出一種抗氧化的改性導(dǎo)電銀漿料。運(yùn)用掃描電鏡（SEM）、紫外可見(jiàn)近紅外分光光度（UV-Vis）、數(shù)字式四探針測(cè)試儀和探針輪廓儀分析了厚膜氧化前后的微觀形貌、漫反射率、方塊電阻、表面粗糙度及膜層厚度的變化規(guī)律。結(jié)果表明：燒結(jié)溫度為750℃時(shí)厚膜表面的光電性能達(dá)到最佳，表面致密度較高，漫反射率較大，表面粗糙度均在1-2μm，厚度在4-8μm，方塊電阻在5-8mΩ/□。通過(guò)正交實(shí)驗(yàn)法得到抗氧化導(dǎo)電銀漿料的最佳配方組成為S

3、n粉0.1％，In粉1%-2%，Ag粉75%，玻璃粉2%，其余均為有機(jī)載體相。在最佳配方組成及最佳燒結(jié)溫度下，所得厚膜樣品在室溫大氣環(huán)境下放置90天后仍表現(xiàn)出較好的光、電、化學(xué)性能。此外，為了提高在具有不規(guī)則表面的工件上預(yù)制漿料層的均勻性，本研究還對(duì)原有的激光微熔覆設(shè)備進(jìn)行了改進(jìn)。
　　初步研究表明，銀導(dǎo)電厚膜層的氧化是從晶界/孔洞等缺陷處開(kāi)始，缺陷處的金相界面的燒結(jié)殘余應(yīng)力和界面能較大，易吸附環(huán)境中的O2或含S氣體，Sn、In被