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文檔簡介
1、儲器是現(xiàn)代電子系統(tǒng)中不可缺少的一個組成部分。按存儲性質(zhì)分類，可分為：SRAM靜態(tài)RAM(Static RAM)；DRAM動態(tài)RAM(DynamicRAM)：PROM可編程ROM(Programable ROM)；EPROM可擦除、可編程(Erasable PROM)；EEPROM電可擦除可編程(Electrically Erasable PROM)，以及目前流行的FlashMemory。 對于靜態(tài)存儲器SRAM，由于其具有訪問速
2、度最快，不需要刷新等特點(diǎn)，在需要高速數(shù)據(jù)處理能力的領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體工業(yè)遵循著名的摩爾定律發(fā)展，每個芯片所能存儲的位數(shù)不斷地成指數(shù)增加，從而使制造工藝對存儲單元的干擾變得更為嚴(yán)重。由于無法避免在亞微米甚至深亞微米的工藝下產(chǎn)生的缺陷，如果存儲器陣列沒有包括冗余的存儲單元，以及在生產(chǎn)中沒有利用這些冗余的存儲單元對有缺陷的部分進(jìn)行修復(fù)的話，那么存儲器芯片的成品率將接近0％。因此，對存儲器的測試并修復(fù)有缺陷的單元就非常重要了。
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