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1、目的:本研究釆用電子顱腦損傷儀(eCCI)制作顱腦損傷(TBI)大鼠模型,通過觀察不同干預(yù)條件下不同組別的顱腦損傷大鼠客觀反應(yīng)情況(精神狀態(tài)、進(jìn)食量、行為活動(dòng)度)、空間辨別性學(xué)習(xí)和記憶能力改變以及檢測(cè)損傷腦組織中血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子(VEGF)、內(nèi)皮抑素(ES)的表達(dá)水平,進(jìn)一步探討基于“豁痰化瘀利水法”的健腦益智膠囊對(duì)TBI大鼠損傷腦組織微血管再生的影響。
方法:將健康SD大鼠隨機(jī)編號(hào)后分為4大組,分別為A組(假手術(shù)組)、B組(
2、模型組)、C組(腦復(fù)康組)、D組(健腦益智膠囊組)。每組按照采集腦組織標(biāo)本的時(shí)間點(diǎn)分為4個(gè)亞組(即A1、A2、A3、A4;B1、B2、B3、B4;C1、C2、C3、C4;D1、D2、D3、D4),每組6只大鼠。除A組外其余各組均采用eCCI造模,A組:開顱暴露硬腦膜后將頭皮縫合,給予常規(guī)喂養(yǎng);B組:造模后常規(guī)喂養(yǎng),同時(shí)給予生理鹽水灌胃,不予特殊藥物治療;C組:造模后常規(guī)喂養(yǎng),同時(shí)給予腦復(fù)康治療,腦復(fù)康片配置成規(guī)格為0.09g/ml混懸液
3、,經(jīng)灌胃途徑給藥,單次給藥劑量為1.2g/Kg,3次/日;D組:造模后常規(guī)喂養(yǎng),同時(shí)給予健腦益智膠囊治療,健腦益智膠囊配置成規(guī)格為0.75g/ml混懸液,經(jīng)灌胃途徑給藥,單次給藥劑量1.5g/Kg,3次/日。分別觀察、記錄造模前及給予相應(yīng)處理后第1、3、5、7天大鼠客觀反應(yīng)情況(精神狀態(tài)、進(jìn)食量、行為活動(dòng)度)及空間辨別性學(xué)習(xí)和記憶能力等行為學(xué)變化(運(yùn)用水迷宮實(shí)驗(yàn)觀察、記錄、分析),并按規(guī)定時(shí)間點(diǎn)即分別在喂養(yǎng)第1、3、5、7天隨機(jī)處死相應(yīng)
4、組別大鼠,采集腦組織標(biāo)本并對(duì)損傷腦組織進(jìn)行VEGF和ES免疫組化分析。
結(jié)果:本實(shí)驗(yàn)造模成功率為73%,按照規(guī)定的打擊速度(5m/s)和打擊深度(3mm),所有模型大鼠都屬于中重型顱腦損傷。造模后各組大鼠在造模后第1天均出現(xiàn)一般狀態(tài)差的表現(xiàn),且 B、C、D組明顯;第3、5、7天各組表現(xiàn)都較前有所進(jìn)步;治療第7天,D組大鼠的精神狀態(tài)、進(jìn)食量和活動(dòng)度明顯優(yōu)于B組和C組。造模后各組大鼠在各時(shí)間點(diǎn)逃避潛伏時(shí)間明顯長(zhǎng)于造模前,穿臺(tái)次數(shù)明
5、顯少于造模前,差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05),造模后B組大鼠在第3、5、7天逃避潛伏時(shí)間明顯長(zhǎng)于D組和C組,穿臺(tái)次數(shù)明顯少于D組和C組。數(shù)據(jù)結(jié)果分析表明:大鼠造模成功后,B組:VEGF在第1d即有顯著表達(dá),第3d達(dá)高峰,ES在第1d無(wú)明顯變化,第3d蛋白表達(dá)顯著升高,并在隨后第5、7d逐漸升高。C組:VEGF在第1d即有顯著表達(dá),第5d達(dá)高峰,在第5、7d的陽(yáng)性表達(dá)較B組升高明顯,差別有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義;ES在第1d無(wú)明顯變化,第3d表達(dá)顯
6、著增高,在第5、7d較B組ES表達(dá)顯著降低。D組:VEGF在第1d即有顯著表達(dá),并在隨后3、5、7d逐漸升高,第3、5、7d陽(yáng)性表達(dá)較B組有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義,第7d陽(yáng)性表達(dá)較C組有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義;ES在第1d無(wú)明顯變化,第3d表達(dá)顯著增高,但較B組、C組下降,并在隨后3、5、7d逐漸降低,在第5、7d陽(yáng)性表達(dá)較B組有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義,在第7d陽(yáng)性表達(dá)較C組有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。
結(jié)論:
1.VEGF在損傷腦組織中第1d即有顯著表達(dá),第3d達(dá)
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