高速SDRAM芯片測試技術研究.pdf

1、21世紀以來，人類進入了信息化時代，人們對信息的依賴和需求越來越高。芯片制造技術的進步使得集成電路的成本不斷降低，但是集成電路的測試成本卻幾乎不變，這就使得人們開始追求和開發(fā)更加廉價的測試技術和設備。同時隨著通信等各種技術的日益進步，人們對存儲器的容量和性能提出了更高的要求。由于同步動態(tài)隨機存儲器(SDRAM)具有存儲容量大，操作速度快，以及價格低廉等優(yōu)勢而得到了廣泛的使用。但是SDRAM存儲器對時序的要求較高和有定時刷新的需要，因此在

2、使用前需對SDRAM進行各種相關的測試以確保SDRAM的完好性。
　　本文以一款SDRAM芯片IS42S16320B為例，利用FPGA技術和泰瑞達測試設備J750分別對SDRAM的功能和電性能等特性進行測試。
　　首先生成控制SDRAM時序和控制器時序的PLL鎖相環(huán)。PLL鎖相環(huán)的是根據(jù)控制SDRAM時序和控制器時序的超前和滯后情況進行設置。利用SOPC Builder建立SDRAM控制器，再利用NiosⅡ IDE集成開發(fā)環(huán)

3、境建立和編寫功能測試程序。功能測試包括地址線檢測、數(shù)據(jù)線檢測和存儲空間檢測，存儲空間檢測又包括0x55測試、0xaa測試和全空間累加測試。經過實踐驗證，此功能測試平臺能較好地檢驗SDRAM芯片的工作狀態(tài)。
　　SDRAM電性能是在Teradyne設備J750進行測試的。測試前利用Teradyne IG-XL軟件編寫測試程序和利用測試向量生成器編寫在相關測試時所用的測試向量測試向量。在此測試中，主要包括SDRAM引腳的開短路測試、D

4、C參數(shù)測試和標準功能檢測。DC參數(shù)測試主要包括漏電流(ⅡL與IOL)測試、VOL/IOL測試、VOH/IOH測試。J750測試出來的DC參數(shù)與IS42S16320B的電特性參數(shù)進行對比，自動獲取測試結果。經過實踐驗證，此測試能很好的完成SDRAM電特性參數(shù)的檢驗。
　　通過對SDRAM的功能和電特性測試，本文對SDRAM芯片進行了深入的研究。該研究能很好的完成SDRAM的功能和電特性的檢測，為SDRAM芯片的應用提供良好的質量保證