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文檔簡介
1、隨著便攜式消費類電子產(chǎn)品需求的日益增長及高性能VLSI技術(shù)的迅猛發(fā)展，低壓低功耗設(shè)計已成為當今模擬集成電路設(shè)計的主流之一。本文討論了低壓模擬電路設(shè)計所面臨的困難與挑戰(zhàn)，以及目前國內(nèi)外實現(xiàn)低壓模擬電路設(shè)計的主要技術(shù)和其優(yōu)缺點，重點研究了準浮柵技術(shù)在低壓低功耗模擬集成電路設(shè)計中的應(yīng)用情況。論文通過介紹多輸入浮柵晶體管的低壓應(yīng)用原理，對準浮柵MOS晶體管的工作原理、等效電路及電氣特性進行了系統(tǒng)分析。在此基礎(chǔ)上完成了一系列基于準浮柵技術(shù)的低壓模
2、擬集成電路單元的設(shè)計，包括折疊差分運算放大器、全差分運算放大器、采樣保持電路、積分器、二階巴特沃斯低通濾波器、五階切比雪夫低通濾波器、12位電容定標數(shù)模轉(zhuǎn)換器等。論文分別基于CSMC 0.6um和TSMC0.25 um CMOS工藝的BSIM3V3模型，利用Cadence Spectre和Hspice等仿真工具對本文所設(shè)計的所有電路進行了模擬仿真。最后根據(jù)CSMC 0.6 um雙多晶雙層鋁布線CMOS工藝的設(shè)計規(guī)則，對全差分運算放大器、
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