低頻脈沖電場逆轉(zhuǎn)MCF-7-ADR對HHT和VCR耐藥性的研究.pdf

1、乳腺癌細(xì)胞對化療藥物產(chǎn)生的多藥耐藥(Multi-drug resistance，MDR)是導(dǎo)致化療失敗的重要原因。MDR逆轉(zhuǎn)劑是克服腫瘤細(xì)胞多藥耐藥性的傳統(tǒng)方法，但逆轉(zhuǎn)劑在克服MDR的同時也帶來了很強的副作用，因此本研究通過低頻脈沖電場對乳腺癌MCF-7/ADR細(xì)胞多藥耐藥性的逆轉(zhuǎn)研究，尋找克服腫瘤細(xì)胞多藥耐藥的新方法。 本研究以對腫瘤化療藥物高耐受、P-gp過量表達(dá)的MDR人乳腺癌MCF-7/ADR細(xì)胞為模型，采用MTT檢測方

2、法對三種不同低頻脈沖電場作用方式進行篩選，選擇對細(xì)胞生長影響較小的電場作用方式用于逆轉(zhuǎn)MCF-7/ADR多藥耐藥逆轉(zhuǎn)的研究。同時使用該電場作用方式通過MTT檢測篩選逆轉(zhuǎn)MDR效果最佳的電場處理時間，并且通過P-gp特異性底物DiOC2<,(3)>在MCF-7/ADR中的積聚和外排探究低頻脈沖電場的抗多藥耐藥的作用機理。 通過低濃度藥物誘導(dǎo)的MCF-7/ADR對ADR和DNR是誘導(dǎo)前細(xì)胞的12.582倍和2.765倍，并且對HHT

3、和VCR顯示出非常高的耐藥性，其耐藥指數(shù)(RF)分別為37.141和620.558。誘導(dǎo)后的MCF-7/ADR對P-gp特異性底物DiOC2<,(3)>的積聚效果明顯較弱，顯示耐藥性的提高是由于P-gp的過量表達(dá)導(dǎo)致的。低頻脈沖電場對誘導(dǎo)后的MCF-7/ADR細(xì)胞生長的影響程度取決于電場作用方式。 低頻脈沖電場作用于MCF-7/ADR細(xì)胞(電場Ⅱ組)對細(xì)胞生長的影響較小，P>0.01(45分鐘電場除外)，因此最適合作為逆轉(zhuǎn)MDR

4、的電場處理方式。低頻電場同時作用于MCF-7/ADR細(xì)胞和培養(yǎng)液(電場Ⅰ組)對細(xì)胞生長抑制較大，隨電場處理時間增加抑制作用增強。由于電場Ⅰ組細(xì)胞差異較大P<0.05，因此不適合作為逆轉(zhuǎn)MDR的電場方式，而適合作為抑制細(xì)胞生長的電場處理方式。低頻脈沖電場作用于培養(yǎng)液(電場Ⅲ組)對細(xì)胞生長的影響不是很大，但是在電場作用15分鐘組、30分鐘組和45分鐘組內(nèi)，都表現(xiàn)出明顯地促進乳腺癌MCF-7/ADR細(xì)胞的生長，因此認(rèn)為不適合作為研究乳腺癌治療

5、的低頻電場作用方式。 低頻電場逆轉(zhuǎn)乳腺癌MCF-7/ADR對：HHT和VCR多藥耐藥的研究中，在低頻脈沖電場不影響MCF-7/ADR細(xì)胞生長的情況下(電場Ⅱ組)，不同時間的電場作用均能逆轉(zhuǎn)MCF-7/ADR的多藥耐藥，對HHT耐藥性的逆轉(zhuǎn)倍數(shù)在1.429-1.848之間，對VCR耐藥性的逆轉(zhuǎn)倍數(shù)在1.473-2.090之間，45min電場作用的逆轉(zhuǎn)效果最好，其次是30min電場作用。藥物積累和外排的實驗結(jié)果表明，脈沖電場作用45

6、min能使細(xì)胞內(nèi)的DiOC2<,(3)>(P-gp的特異性熒光底物)積累明顯增加，而30min電場作用能顯著抑制DiOC2<,(3)>的外排。促進藥物積累和抑制其外排是脈沖電場逆轉(zhuǎn)多藥耐藥的機理之一。綜上所述，本研究可得出以下結(jié)論： (1)通過低濃度誘導(dǎo)能夠獲得P-gp過量表達(dá)的高耐藥性MCF-7/ADR細(xì)胞(2)低頻電場只作用于MCF-7/ADR細(xì)胞(電場Ⅱ組)對細(xì)胞生長無顯著的影響作用，適合成為逆轉(zhuǎn)MDR的方法。 (

7、3)低頻電場同時作用于MCF-7/ADR細(xì)胞和培養(yǎng)液(電場Ⅰ組)對細(xì)胞生長有顯著的抑制作用，適合成為殺傷和抑制腫瘤細(xì)胞的方法。 (4)低頻電場只作用于培養(yǎng)液(電場Ⅲ組)對細(xì)胞的生長的影響較小，但主要表現(xiàn)為促進細(xì)胞的生長，不適合作為治療腫瘤細(xì)胞研究的方法。 (5)電場Ⅱ組對MCF-7/ADR的多藥耐藥性有逆轉(zhuǎn)作用，45分鐘組的逆轉(zhuǎn)效果最佳，其次為30分鐘電場組。 (6)電場Ⅱ組中，45分鐘組能夠促進DiOC2<,(