基于海明排序進(jìn)行無(wú)關(guān)位填充的低功耗內(nèi)建自測(cè)試研究.pdf

1、隨著科學(xué)的進(jìn)步，深亞微米的出現(xiàn)，大量的功能模塊被集成，芯片功能越做越強(qiáng)大，數(shù)字電路的集成度變得越來(lái)越高，整個(gè)電路的復(fù)雜度也變得越來(lái)越大，這對(duì)電路測(cè)試造成了極大的困難。一般情況下，在對(duì)集成電路進(jìn)行測(cè)試的過(guò)程中，測(cè)試功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電路工作功耗，而過(guò)高的功耗會(huì)造成芯片過(guò)熱，嚴(yán)重的時(shí)候會(huì)對(duì)芯片造成損害，并且這種損害往往是不可逆的。因此，如何有效降低過(guò)高的測(cè)試功耗已經(jīng)成為集成電路測(cè)試的研究熱點(diǎn)。
　　本研究在按時(shí)鐘測(cè)試的內(nèi)建自測(cè)試中，對(duì)測(cè)試集

2、進(jìn)行優(yōu)化，將測(cè)試集進(jìn)行了兩次排序。第一次進(jìn)行無(wú)關(guān)位排序，將無(wú)關(guān)位含量多的測(cè)試向量放到前面；第二次對(duì)測(cè)試向量進(jìn)行海明距離求解，按照海明距離由小到大排序。為了優(yōu)化測(cè)試集，達(dá)到測(cè)試向量之間相關(guān)性增加的目的，對(duì)排序后的測(cè)試集進(jìn)行合理的無(wú)關(guān)位填充，提出了一種無(wú)關(guān)位填充方案，依照無(wú)關(guān)位兩邊確定位長(zhǎng)度來(lái)進(jìn)行無(wú)關(guān)位填充。最后通過(guò)對(duì)ISCAS’85國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)電路實(shí)驗(yàn)證明，本文所提方案能在保證獲得較高故障覆蓋率的前提條件下，有效的降低了電路的測(cè)試總功耗、平均