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文檔簡介
1、目的:通過對比高、中、低不同劑量砷染毒大鼠的學(xué)習(xí)記憶損傷情況,以及加硒之后各組的損傷的改善情況,研究硒對砷暴露致大鼠學(xué)習(xí)記憶損害的干預(yù)作用。
方法:SD雄性大鼠80只,按體質(zhì)量隨機(jī)分為8組,分別為低劑量砷組(0.5 mg·kg-1·w-1)、中劑量砷組(1.0 mg·kg-1·w-1)、高劑量砷組(1.5 mg·kg-1·w-1)、單純硒組(1.5 mg·kg-1·w-1)、硒+(0.5 mg·kg-1·w-1)砷組、硒+(1
2、.0 mg·kg-1·w-1)砷組、硒+(1.5 mg·kg-1·w-1)砷組、對照組。大鼠自由飲水,持續(xù)染毒120 d。石墨爐原子吸收儀檢測大鼠腦組織和血液中總Se和總As含量;取固定好的大腦皮質(zhì),電鏡下觀察神經(jīng)細(xì)胞超微結(jié)構(gòu)的改變;用化學(xué)測試盒檢測大鼠腦組織中谷胱甘肽(GSH)和丙二醛(MDA)的含量、谷胱甘肽過氧化物酶活性(GSH-PX)、過氧化氫酶活性(CAT)、活性氧(ROS)及超氧化物歧化酶(SOD)的活性;Quantitat
3、ive Real-time PCR檢測各組大鼠腦組織COX-2和Nrf2mRNA表達(dá)的水平;Western blot檢測各組大鼠腦組織COX-2和Nrf2蛋白表達(dá)的水平;Morris水迷宮實(shí)驗(yàn)檢測大鼠染砷及硒干預(yù)后學(xué)習(xí)記憶的損傷情況。
結(jié)果:染砷劑量越高,砷在大鼠腦組織中的蓄積越多,加入硒之后各染砷組大鼠腦組織中的砷含量明顯降低,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(F=182.67,P<0.05)。大鼠大腦皮質(zhì)層電鏡切片結(jié)果顯示,對照組大腦皮質(zhì)
4、神經(jīng)元形態(tài)完整,核膜清晰完整,細(xì)胞核呈圓形、橢圓形,核仁居中,細(xì)胞質(zhì)分布均勻,胞漿內(nèi)質(zhì)網(wǎng)、線粒體等形態(tài)正常;中劑量砷組可見大腦皮質(zhì)神經(jīng)元形態(tài)較完整,形狀不規(guī)則,細(xì)胞核位置邊際,內(nèi)質(zhì)網(wǎng)輕微擴(kuò)張,線粒體輕度腫脹;高劑量砷組視野可見神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞明顯水腫,胞質(zhì)內(nèi)少見細(xì)胞成分,細(xì)胞基質(zhì)密度降低,可見內(nèi)質(zhì)網(wǎng)輕微擴(kuò)張,神經(jīng)纖維斷裂且排列紊亂。與對照組比較,高劑量砷組大鼠腦組織中GSH含量明顯減少、MDA含量升高,SOD、CAT及GSH-PX活性均降低
5、,ROS活性水平增大,加硒后高劑量砷組GSH的含量明顯增大,SOD、CAT及GSH-PX活性均升高,ROS活性降低,MDA含量較之減少,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(F=2405.630, F=8.357,F(xiàn)=43.234,F(xiàn)=11.233,H=56.694,F(xiàn)=2.787,P均<0.05)。與對照組比較,低劑量砷組、中劑量砷組、高劑量砷組COX-2mRNA表達(dá)的水平均升高,但差異無統(tǒng)計學(xué)意義(F=0.570,P>0.05)、Nrf2mRNA表達(dá)的
6、水平均降低,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(F=4.006,P<0.05);與低劑量砷組、中劑量砷組及高劑量砷組比較,低劑量砷+硒組、中劑量砷+硒組以及高劑量砷+硒組的COX-2mRNA的表達(dá)水平均降低、Nrf2mRNA的表達(dá)水平均升高,但差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05)。與對照組比較,低劑量砷組、中劑量砷組及高劑量砷組的COX-2蛋白表達(dá)水平均升高、Nrf2蛋白表達(dá)水平均降低,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(F=9.499,F(xiàn)=5.131,P均<0.05);與低
7、劑量砷組、中劑量砷組及高劑量砷組比較,低劑量砷+硒組、中劑量砷+硒組以及高劑量砷+硒組的COX-2蛋白表達(dá)水平均降低,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P<0.05);與高劑量砷組比較,高劑量砷+硒干預(yù)組的Nrf2蛋白表達(dá)水平顯著升高,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P<0.05)。Morris水迷宮實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,隨著訓(xùn)練天數(shù)增加,與對照組比較,低劑量砷組、中劑量砷組及高劑量砷組的逃避潛伏期同時或不同時延長(F=58.84, P<0.05);與高劑量砷組比較,高劑量
8、砷+硒干預(yù)組的逃避潛伏期縮短,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P<0.05);與高劑量砷組比較,高劑量砷+硒組的逃逸平臺進(jìn)入次數(shù)、逃逸平臺滯留時間以及逃逸平臺游泳距離均減小,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(F=31.901, F=26.172,F(xiàn)=104.106,P均<0.05)。
結(jié)論:硒可以改善砷導(dǎo)致的學(xué)習(xí)記憶損傷,且干預(yù)砷在腦組織中的脂質(zhì)過氧化作用。硒可能通過調(diào)控砷暴露大鼠腦組織中COX-2和Nrf2基因的表達(dá)激活COX-2/Nrf2信號通路,使其
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