新生兒低血糖腦損傷的磁共振表現(xiàn)及其波譜研究.pdf

1、新生兒低血糖是新生兒期較為常見的代謝改變，嚴重且持續(xù)的低血糖狀態(tài)所可引起中樞神經(jīng)系統(tǒng)損功能紊亂及損傷。以往研究表明，在嚴重低血糖腦損傷中，頂枕葉受累最為常見，急性期表現(xiàn)為皮層及皮層下水腫，慢性期相應部位萎縮及腦室擴張等。近年研究表明，低血糖腦病的損傷方式更具多樣性，而對于低血糖腦病的損傷方式至今仍沒有得到充分的認識，磁共振波譜利用化學位移作用原理，能無創(chuàng)的提供活體狀態(tài)下各代謝化合物信息，研究腦內(nèi)組織代謝及生理生化改變，為進一步明確新生兒

2、低血糖腦病的發(fā)病機制和早期準確地評估預后提供了一種手段和方法。
　　 目的：
　　 探討新生兒低血糖腦損傷的MR特征及其發(fā)病機制的同時探討新生兒低血糖患者中1H-MRS表現(xiàn)及其臨床應用價值。
　　 材料與方法：
　　 收集分析34例臨床確診的新生兒低血糖患兒的臨床及MR資料，并對其中12例患者及10例正常新生兒行磁共振波譜檢查，將兩組間各代謝物相對濃度進行比較，所采用的低血糖診斷標準為血糖值＜2.6 mm

3、ol/L。
　　 結果：
　　 低血糖腦損傷的主要受累部位為頂枕部，占94.12％(32/34)，其中雙側頂枕葉61.76％(21/34)。胼胝體壓部損傷亦較為常見，占64.71％(22/34);額葉損傷占32.35％(11/34)，其中有54.54％(6/11)為彌漫性腦損傷累及額葉。腦損傷主要表現(xiàn)為皮髓質交界不清，呈稍低T1稍高T2信號，DWI上病變均呈明顯高信號。低血糖腦損傷患兒磁共振波譜Lac/Cr, Lip/C