基于H2矩陣快速求解線面體積分方程.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、當(dāng)運用電磁場數(shù)值計算方法求解實際的電磁問題時,通常將求解目標(biāo)看做為理想導(dǎo)體或者理想介質(zhì)。然后運用面等效源原理建立面積分方程(SIE)求解電磁散射和輻射問題。然而在實際求解的過程中,遇到非均勻介質(zhì)與導(dǎo)體結(jié)合的情況時,SIE并不適用求解此類的電磁問題。于是根據(jù)實際情況建立有效的積分方程來求解目標(biāo)環(huán)境的電磁問題具有重要的意義。
  在矩量法的基礎(chǔ)之上,本文根據(jù)求解區(qū)域所滿足的電磁條件建立有效的電場積分方程(EFIE)求解目標(biāo)電磁問題。采

2、用MoM直接求解EFIE,分別需要O(N2)存儲量和O(N3)計算復(fù)雜度。于是本文根據(jù)可容許條件,將阻抗矩陣劃分為近場區(qū)和遠(yuǎn)場區(qū)。對于遠(yuǎn)場區(qū)矩陣塊的計算,采用拉格朗日插值多項式退化核函數(shù)低秩存儲,以降低求解過程中未知量與存儲量、計算量之間的級數(shù)關(guān)系從而提高計算效率。最后在H矩陣的基礎(chǔ)之上發(fā)展H2矩陣算法,并將其運用于實際的求解電磁問題中,驗證該算法的高效性、可行性。
  最后,利用實現(xiàn)的計算程序計算了不同模型的電磁散射和輻射特性,

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