電針百余、四神聰MCAO模型大鼠Nogo-A、CaMll表達及學習記憶能力的影響.pdf

1、目的:本實驗通過制做大腦中動脈閉塞腦梗死(middle cerebralartery occlusion，MCAO)大鼠模型模擬腦卒中后認知功能障礙(poststroke cognitive impairment，PSCI)，觀察電針百會、四神聰穴對MCAO模型大鼠Morris水迷宮(Morris water maze，MWM)測試成績及海馬區(qū)Nogo-A、CaMKⅡ蛋白表達的影響，從宏觀行為到微觀細胞和分子等多水平上探討電針治療PSC

2、I學習記憶障礙可能的作用機制，并為針灸治療PSCI提供理論和實踐依據(jù)。
　　方法:(1)對象篩選及分組:用MWM實驗篩選出84只無學習記憶障礙大鼠;隨機分為正常組(n=12)、模型組(n=24)、假針刺組(n=24)、電針組(n=24)，4組又隨機分為1d、7d、14d和28d共4個時點進行觀察的4個亞組;除正常組外的3組大鼠均采用照改進后的Longa方法制作左側(cè)MCAO模型;評價后造模成功的大鼠納入試驗，不成功者剔除并補組。(2

3、)干預措施:正常組及模型組常規(guī)喂養(yǎng)，不給予任何處理，但在其它組實驗時同等條件抓取;電針組給予針刺并加電針;假針刺組針灸針固定于穴位外而不刺入;針刺選穴“百會”、“四神聰”。(3)觀察指標:除MWM實驗在造模后第7d、14d、28d進行外，余各項指標的觀察均在第1d、7d、14d、28d共4個時點進行。①大鼠行為學MWM實驗，包括定位航行試驗及空間探索試驗;②水迷宮試驗后取材進行HE染色觀察大鼠海馬腦組織病理學變化;③采用免疫組化檢測腦梗

4、側(cè)海馬區(qū)Nogo-A的表達;④采用免疫組化檢測腦梗側(cè)海馬區(qū)CaMKⅡ的表達。(4)統(tǒng)計學處理:所得計量數(shù)值采用均數(shù)±標準差（(x)±s）表示;實驗數(shù)據(jù)采用IBM SPSS Statistics19.0軟件進行統(tǒng)計分析;以P＜0.0為具有統(tǒng)計學意義，并且以P＜0.01為顯著統(tǒng)計學意義;定位航行試驗數(shù)據(jù)采用重復數(shù)據(jù)的多因素方差分析的方法，空間探索試驗數(shù)據(jù)采用單因素方差分析進行分析;免疫組化染色數(shù)據(jù)用單因素方差分析方法;并對數(shù)據(jù)行線性相關(guān)分析

5、;將所有數(shù)據(jù)及分析結(jié)果采用GraphPad Prism5軟件繪制成圖。
　　結(jié)果:①行為學MWM測試:模型組大鼠在定位航行試驗和空間探索試驗中均表現(xiàn)出明顯的學習記憶障礙，電針組大鼠在兩類行為學測試中成績均明顯優(yōu)于模型組和假針刺組（P＜0.05），模型組與假針刺組MWM測試結(jié)果無統(tǒng)計學差異(P＞0.05);②Nogo-A表達免疫組織化學染色結(jié)果:通過免疫組化檢測Nogo-A陽性產(chǎn)物平均光密度值，電針治療7d、14d和28d后Nogo

6、-A表達降低，和正常組、假針刺組相比，差異具有顯著意義(P＜0.01)。模型組與假針刺組Nogo-A的表達無統(tǒng)計學差異(P＞0.05);③CaMKⅡ表達免疫組織化學染色結(jié)果:模型組CaMKⅡ陽性產(chǎn)物平均光密度值低于正常組(P＜0.01)，電針治療7d、14d和28d后可增加CaMKⅡ的表達，和正常組、假針刺組相比，差異具有顯著意義(P＜0.01)。模型組與假針刺組CaMKⅡ的表達無統(tǒng)計學差異（P＞0.05）;④行為學MWM測試成績與No

7、go-A表達呈負相關(guān)，行為學MWM測試成績與CaMKⅡ表達呈正相關(guān)，Nogo-A表達與CaMKⅡ表達呈負相關(guān)。
　　結(jié)論:本研究通過制作PSCI模型，觀察電針“百會、四神聰”干預對MCAO模型大鼠學習記憶能力及Nogo-A、CaMKⅡ表達的關(guān)系，得出如下結(jié)論:1.MCAO模型大鼠學習記憶力下降，MCAO模型能模擬PSCI大鼠的學習記憶功能障礙;2.電針“百會、四神聰”穴可降低海馬內(nèi)Nogo-A表達，增加海馬內(nèi)CaMKⅡ的表達;3.