1,2-二氯乙烷染毒對體外培養(yǎng)SW620細胞增殖、周期和凋亡的影響研究.pdf

1、目的：探討不同濃度和不同時間1，2-二氯乙烷(1，2-DCE)染毒對瞬時干擾和未干擾的體外培養(yǎng)細胞增殖、周期和凋亡能力的影響。
　　 方法：不同濃度1，2-DCE染毒0.5或1h，MTT(四甲基偶氮唑鹽)法檢測活細胞相對數(shù)和相對活力；流式細胞術(FCM)分析細胞周期和凋亡；siRNA瞬時干擾SIRT1表達水平；RT-PCR檢測mRNA的表達水平。
　　 結果：第一部分：1，2-DCE染毒SW620細胞。MTT法檢測發(fā)現(xiàn)，

2、隨1，2-DCE染毒劑量增加和染毒時間延長，細胞相對存活率逐漸降低。與DMSO組比較，染毒0.5h，25、75、100、125、150、175、200uM組的細胞相對存活率降低(p<0.05或p<0.01)；染毒1h，75、100、125、150、175、200uM組的細胞相對存活率降低(p<0.05或p<0.01)；與0.5h各組比，175uM組染毒1h的細胞相對存活率降低(p<0.01)；增殖曲線經(jīng)標準化擬合后發(fā)現(xiàn)，染毒0.5h，1

3、，2-DCE的最適IC50為89.41uM，95％的可信區(qū)間為(85.23uM，93.79uM)；染毒1h，1，2-DCE的最適IC50為87.68uM，95％的可信區(qū)間為(83.71uM，91.82uM)。FCM法檢測發(fā)現(xiàn)，與對照組比較，1，2-DCE染毒1h，25、50、100、150、200uM組的G0/G1期降低(p<0.05或p<0.01)；25、50、100uM組的S期降低(p<0.05或p<0.01)；25、50、100、

4、150、200uM組的G2/M期升高(p<0.05或p<0.01)；但各組均不引起細胞凋亡。第二部分：1，2-DCE染毒瞬時干擾SIRT1的SW620細胞。MTT法檢測發(fā)現(xiàn)瞬時干擾后24、48、72、96h，siRNA與對照組的細胞相對存活率的差異都有統(tǒng)計學意義，其中瞬時干擾后72h，siRNA與negative組、wild組差異有統(tǒng)計學意義(p<0.01)；negative組與wild組差異無統(tǒng)計學意義。MTT法檢測發(fā)現(xiàn)SIRT1瞬時

5、干擾72h，100uM1，2-DCE染毒1h，1，2-DCE組內，siRNA組與wild組比較，有統(tǒng)計學差異(p<0.05)；siRNA組內，1，2-DCE組與PBS組、DMSO組比較，有統(tǒng)計學差異(p<0.05)；同時在對照組內，瞬時干擾及1，2-DCE染毒各自所造成的細胞增殖抑制情況與前期實驗結果一致。
　　 結論：1，2-DCE能夠抑制體外培養(yǎng)SW620細胞增殖；染毒1小時，可使細胞周期停滯在G2/M期，但不誘導細胞凋亡；