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文檔簡介
1、【研究背景】
鼻咽癌(nasopharyngeal carcinoma,NPC)是一種好發(fā)于我國長江以南包括廣東、廣西、湖南、福建、浙江、香港及東南亞地區(qū)的惡性上皮細胞腫瘤。由于其特殊的解剖位置,無論是早期還是局部晚期,放療是其主要治療方式。雖然經過規(guī)范治療,使用調強放療為主,聯(lián)合誘導、同期、輔助化療及靶向藥物等增敏治療,臨床上仍有大約20%的鼻咽癌患者出現(xiàn)局部復發(fā)和遠處轉移,其主要原因歸為放射抗拒。因此,研究鼻咽癌放射抗拒相
2、關基礎研究,為鼻咽癌的增敏治療提供新的依據(jù)。
自噬作為鼻咽癌放射抗拒的重要原因之一。本課題組前期研究表明:鼻咽癌CNE-2細胞在照射后發(fā)生自噬及凋亡,且該自噬在放射致CNE-2細胞凋亡過程中起到促存活功能;放射可以誘導多聚腺苷酸二磷酸核糖轉移酶1(Poly ADP-ribose polymerase1,PARP-1)激活并且誘導自噬的發(fā)生,PARP-1在自噬的上游;在鼻咽癌CNE-2細胞的裸鼠移植瘤中,沉默自噬基因,能增加其放
3、射敏感性。
近年來研究表明,LKB1蛋白(liver kinase B1)-單磷酸腺苷活化蛋白激酶(adenosine monophosphate-activated protein kinase,AMPK)-哺乳動物雷帕霉素靶蛋白(mammalian target of rapamycin,mTOR)(LKB1-AMPK-mTOR)信號通路可能是自噬發(fā)生在重要通路,因此,在前期研究基礎上,本研究繼續(xù)探討放射致鼻咽癌細胞發(fā)生自
4、噬過程PARP-1與LKB1-AMPK-mTOR信號通路關系,并深入探討干擾PARP-1、LKB1-AMPK-mTOR信號通路降低自噬活性對鼻咽癌細胞放射抗拒性的影響。
研究內容:
第一部分放射致鼻咽癌細胞發(fā)生自噬過程PARP-1與LKB1-AMPK-mTOR信號通路關系的探討
【目的】探明在放射引起鼻咽癌CNE-2細胞自噬過程中,PARP-1是否是LKB1-AMPK-mTOR信號通路的上游信號調控點。①證
5、明是PARP-1通過激活LKB1和AMPK,最終激活自噬;②確定AMPK的抑制不會影響PARP-1的激活。
【方法】
1.利用Western blot(Wb)技術檢測自噬標志物LC3-Ⅱ,證明鼻咽癌細胞放射后發(fā)生自噬。
2.利用Wb技術檢測放射致CNE-2細胞發(fā)生自噬過程中對PARP-1蛋白,LKB1蛋白、AMPK蛋白及mTOR下游P70S6K蛋白磷酸化狀態(tài)(p-LKB1、p-AMPK及p-P70S6K)的
6、影響;利用化學激活劑(5-Aminoimidazole-4-carboxamide1-β-D-ribofuranoside,AICAR)激活AMPK,慢病毒介導的PARP-1基因沉默抑制PARP-1和化學抑制劑(Compound C)抑制AMPK后,檢測PARP-1、p-LKB1、p-AMPK、p-P70S6K及LC3-Ⅱ的表達變化。
【結果】
1.鼻咽癌細胞放射后自噬標志物LC3-Ⅱ增加。
2.鼻咽癌細胞
7、放射后PARP-1、p-AMPK、LC3-Ⅱ較對照組表達增加,p-P70S6K減少。
3.AICAR激活AMPK,PARP-1表達不變,p-AMPK增多,p-P70S6K減少,LC3-Ⅱ增多。
4.慢病毒介導的PARP-1基因沉默后,PARP-1、p-AMPK表達減少,p-P70S6K增多,LC3-Ⅱ減少。
5.抑制AMPK,PARP-1表達不變,p-AMPK減少,p-P70S6K增加,LC3-Ⅱ減少,以上
8、各組結果比較均有統(tǒng)計學差異(p<0.05)。
6.p-LKB1在各組中的表達量沒有明顯變化,差異沒有統(tǒng)計學意義(p>0.05),而加入AMPK抑制劑Compound C后發(fā)現(xiàn)p-LKB1無表達。
【結論】
鼻咽癌細胞放射后發(fā)生自噬,在放射引起CNE-2細胞自噬過程中,PARP-1是AMPK-mTOR信號通路的上游信號調控點。
第二部分干擾PARP-1-AMPK-mTOR通路對鼻咽癌CNE-2細胞放
9、射敏感性的影響
【目的】探討人為干擾PARP-1-AMPK-mTOR通路下調自噬后鼻咽癌CNE-2細胞的放射線敏感性變化。
【方法】
1.在不照射線和照射線情況下,分別利用慢病毒介導的PARP-1基因沉默抑制PARP-1、Compound C抑制AMPK后,采用MTT實驗檢測CNE-2細胞的增殖情況。
2.在不照射線和照射線情況下,分別利用慢病毒介導的PARP-1基因沉默抑制PARP-1、Comp
10、ound C抑制AMPK后,采用克隆形成實驗檢測CNE-2細胞的增殖情況。
【結果】
1.MTT結果提示在第1-5天、不照射線情況下,PARP-1基因沉默組增殖與對照組比較無明顯差別,差異無統(tǒng)計學意義(p>0.05),Compound C組比對照組增殖減少,差異有統(tǒng)計學意義(p<0.05);照射線情況下,PARP-1基因沉默組、Compound C組比對照組增值減少,差異有統(tǒng)計學意義(p<0.05);照射線下加入Co
11、mpound C組比不照射線加入Compound C組增殖減少,差異有統(tǒng)計學意義(p<0.05)。
2.克隆形成實驗結果提示在不照射線情況下,PARP-1基因組沉默組克隆形成數(shù)與對照組比較無明顯差別(p>0.05),Compound C組與對照組比較克隆數(shù)減少,差異有統(tǒng)計學意義(p<0.05);照射線情況下,PARP-1基因沉默組、Compound C組克隆形成數(shù)比對照組減少,差異有統(tǒng)計學意義(p<0.05)。照射線下加入Co
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