微柱陣列型拓撲結(jié)構(gòu)增強HepG2細胞TRPV通道的功能響應性.pdf

1、制備了微柱名義直徑為4μm或10μm，名義間距為4μm或7μm，名義高度為4μm的聚二甲基硅氧烷微柱陣列型拓撲結(jié)構(gòu)基底，研究了HepG2細胞與拓撲結(jié)構(gòu)基底復合后細胞瞬時受體電位通道TRPV1、TRPV4在基因和蛋白水平的表達及其功能響應性。細胞TRPV1和TRPV4在基因水平表達的評價采用定量PCR技術(shù)進行；TRPV1和TRPV4在蛋白水平的表達以免疫印跡和免疫熒光染色確認；TRPV1和TRPV4功能響應性的研究系以TRPV1和TRPV

2、4激動劑辣椒素和4α-佛波醇-12,13-二葵酸酯刺激細胞，采用鈣離子染料鈣綠-1結(jié)合激光共聚焦顯微技術(shù)記錄鈣內(nèi)流動態(tài)過程，以鈣內(nèi)流熒光響應幅度及陽性響應比率進行評價。
　　實驗結(jié)果表明，HepG2細胞接種于4種拓撲結(jié)構(gòu)基底較之于平面基底上出現(xiàn)明顯的形態(tài)鋪展和極化程度變化。四種拓撲結(jié)構(gòu)基底上細胞TRPV1和TRPV4的mRNA表達量均顯著高于平面基底上相應值。且相同微柱間距(4μm、7μm)，較大微柱直徑(10μm)的基底促進細胞

3、鋪展，同時伴隨著較高的TRPV1或TRPV4基因表達水平；相同微柱直徑(4μm或10μm)，較小微柱間距(4μm)的基底一定程度促進細胞鋪展，但卻伴隨著較低的TRPV1或TRPV4基因表達水平。免疫印跡實驗證實了TRPV1和TRPV4在蛋白水平的表達，且拓撲結(jié)構(gòu)基底上TRPV1和TRPV4免疫熒光染色強度較之平面基底相應值明顯增高或趨于增高。在激動劑作用下，TRPV1介導的鈣內(nèi)流表現(xiàn)為快速去敏感化(25秒內(nèi))的瞬態(tài)內(nèi)流，且拓撲結(jié)構(gòu)基底上